Рассмотрены процессы образования дефектов в кристаллическом кремнии. Дан анализ микроструктуры дефектов, приведены сведения об энергетическом спектре локальных электронных состояний, связанных с различными типами дефектов в объеме и на поверхности кристаллов кремния. Рассказано о процессах миграции дефектов, их взаимодействиях друг с другом я с примесями. Для физиков и инженеров, занятых фундаментальными исследованиями и решением практических задач современной "кремниевой" микроэлектроники, а также для студентов старших курсов соответствующих специальностей.
