Моделирование резонансного туннелирования в полупроводниковых наноструктурах: Описание лабораторной работы
Агарев В.Н.
Целью настоящей работы является освоение компьютерного моделирования явления туннелирования в полупроводниковых наноструктурах. Приведены физическая модель, математическая модель, алгоритм решения, порядок выполнения работы, пример моделирования в пакете MATHEMATICA
EPUB | FB2 | MOBI | TXT | RTF
* Конвертация файла может нарушить форматирование оригинала. По-возможности скачивайте файл в оригинальном формате.