libcats.org
Главная →

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

Обложка книги Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

,
В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ
EPUB | FB2 | MOBI | TXT | RTF
* Конвертация файла может нарушить форматирование оригинала. По-возможности скачивайте файл в оригинальном формате.
Популярные книги за неделю:
Только что пользователи скачали эти книги: